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[发明专利]一种CuInS₂/ZnS和CuInS₂/CdS/ZnS核壳结构量子点的制备方法-CN201310194795.X有效
发明人：谷小许;李阳 -专利权人：广东普加福光电科技有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种CuInS2/ZnS和CuInS2/CdS/ZnS核壳结构量子点的制备方法。以CuInS2纳米颗粒为核，具有多层核壳结构CuInS2量子点的制备方法，包括以下步骤：（1）将铜源和铟源溶于硫源，得到CuInS2量子点溶液；（2）将上述量子点溶液离心纯化后，再滴加锌和硫前体液，得到的CuInS2/ZnS核壳结构量子点溶液；（3）如在CuInS2量子点溶液中滴加镉源和硫前体液，再滴加锌和硫前体液，就得到CuInS2/CdS/ZnS型量子点。
一种 cuins sub zns cds 结构量子制备方法

[发明专利]CuInS₂单晶体的制备方法和CuInS₂单晶体制备装置-CN201410193673.3有效
发明人：赵岳;丁艳丽;冯月;王林军;彭翔;梁小燕;闵嘉华;史伟民 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInS₂单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS₂多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS₂单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS₂单晶，本发明还公开了一种CuInS_{2CuInS₂晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS₂的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS₂薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。}
cuins sub 单晶体制备方法装置

[发明专利]CuInS₂纳米晶及CuInS₂/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法-CN201210138338.4无效
发明人：韩鹤友;谷小许;黄亮 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶的制备方法，通过自制的硬脂酸铟与等物质的量的碘化亚铜在含油酸、过量的十二硫醇及十八碳烯的混合溶剂中反应，即可得到CuInS2纳米晶，滴加硬脂酸锌溶液可进一步得到CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶。本发明制得的CuInS2纳米晶及CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶均相、低毒、单分散性好、重现性强、波谱覆盖范围宽、荧光量子产量高，其中CuInS2纳米晶的荧光量子产量最高达8.7%；CuInS2/ZnS
cuins sub 纳米 zns 结构制备方法

[发明专利]一种还原石墨烯-CuInS₂复合材料制备方法-CN201410744136.3在审
发明人：尹争艳 -专利权人：尹争艳
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种还原石墨烯-CuInS₂复合材料制备方法，属于光伏材料制备领域。针对目前纯还原石墨烯的光伏性能差的问题，提供一种利用CuInS₂合成具有较好光伏性能的还原石墨烯-CuInS₂复合材料。所述方法通过氧化石墨烯（GO）的制备、还原石墨烯（rGO）的制备和还原石墨烯-CuInS₂复合材料制备三步骤得到还原石墨烯-CuInS₂复合材料。采用该方法制备还原石墨烯-CuInS₂复合材料较纯还原石墨烯材料的光伏性能有较大提高。
一种还原石墨 cuins sub 复合材料制备方法

[发明专利]一种基于TiO₂-CuInS₂核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法-CN201210211088.2有效
发明人：岳文瑾;王命泰 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法，电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的FTO层、TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列、TiO2-CuInS2异质核壳结构纳米棒的CuInS2壳层、MEH-PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传导层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明制备方法简便，CuInS2量子点的沉积量易控。
一种基于 tio sub cuins 纳米阵列有机无机太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种在CuFeO₂/CuInS₂复合半导体薄膜电极上将CO₂还原为甲醇的方法-CN201710833608.6有效
发明人：元炯亮;古春辉;丁文明 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C25B3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在CuFeO₂/CuInS₂复合半导体薄膜电极上将CO₂还原为甲醇的方法，属于CO₂资源化领域。其特征在于，采用脉冲电沉积法在CuInS₂薄膜表面沉积CuFeO₂量子点，制备CuFeO₂/CuInS₂复合半导体薄膜；可见光照射下，以CuFeO₂/CuInS₂复合薄膜为光阴极，在水溶液中通过光电催化反应将CO₂还原为甲醇。与CuInS₂薄膜电极相比，CuFeO₂/CuInS₂复合薄膜电极具有更高的催化活性。
一种 cufeo2 cuins2 复合半导体薄膜电极上将 co2 还原甲醇方法

[发明专利]一种水溶性闪锌矿结构CuInS₂或/和CuInS₂/ZnS核壳结构量子点的制备方法-CN201210109882.6无效
发明人：常津;董春红;郭伟圣 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种水溶性闪锌矿结构的CuInS2或CuInS2/ZnS核壳结构量子点的制备方法。在氩气保护下制备In、Cu前体液，以1℃/s的升温速率将其从室温加热至200～250℃，反应30～60min，得到CuInS2量子点溶液。迅速注入锌前体液，在180～220℃再反应30～60min，自然冷却至室温离心纯化得到CuInS2/ZnS核壳结构量子点。所得水溶性CuInS2量子点具有闪锌矿晶体结构，Cu∶In∶S的原子比略高于1∶1∶2；CuInS2/ZnS核壳量子点的荧光发射峰范围为538～760nm，荧光量子产率为22～39％。本发明在油溶性量子点的胶体化学合成法基础上，以PEG为溶剂，巯基脂肪醇为配体、硫源和活性抑制剂制备了水溶性CuInS2和CuInS2/ZnS量子点，为后期的生物医学应用省去了生物相容性改性的步骤。
一种水溶性闪锌矿结构 cuins sub zns 量子制备方法

[发明专利]高效低成本染料敏化太阳能电池对电极材料一维铜铟硫-硫化锌异质结纳米晶的制备方法-CN201310024874.6有效
发明人：王丹;易落新;毛丹 -专利权人：中国科学院过程工程研究所;佛山市高明区（中国科学院）新材料专业中心
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效低成本的染料敏化太阳能电池的对电极材料一维CuInS2-ZnS的异质结纳米晶的制备方法，利用Cu2S-ZnS异质结构纳米晶为种子，在高温溶液中引入醋酸铟，产生铟离子进入Cu2S-ZnS异质结的Cu2S铜相，形成CuInS2相；随着时间延长，硫化铜相逐渐转化，最终形成CuInS2-ZnS异质结构纳米材料。采用该方法可制得一维CuInS2-ZnS异质结纳米晶，不同于CuInS2-ZnS固溶体，呈现了非常好的CuInS2-ZnS的两相分离结构，用其制成对电极的染料敏化太阳能电池，光电转换效率超过传统的铂电极电池本发明采用相分离状态的种子Cu2S-ZnS异质结纳米晶转变成CuInS2-ZnS，避免了CuInS2-ZnS的共溶。通过改变醋酸铟的加入方式、反应时间等条件，能够非常简单地实现对异质结构纳米晶的CuInS2相和ZnS相的尺寸和形貌的调控。本方法工艺流程简单、可控性强。
高效低成本染料太阳能电池电极材料一维铜铟硫硫化锌异质结纳米制备方法

[发明专利]一种Z型异质结CuInS2-CN202310907874.4在审
发明人：冯胜;张伟杰;宋子恒;宋淑珊 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：本发明属于纳米复合技术领域，具体涉及一种Z型异质结CuInS2/Cu‑MOF复合材料及其制备方法和应用。本发明采用简单的原位生长法将Cu‑MOF耦合在花状CuInS2表面，形成Z型异质结。与CuInS2和Cu‑MOF相比，CuInS2/Cu‑MOF在模拟阳光下的光催化性能显著提高。另一方面，花状CuInS2提高了CuInS2/Cu‑MOF表面活性位点。
一种型异质结 cuins base sub

[发明专利]一种含纤锌矿孪晶结构的铜铟硫纳米晶及其制备方法-CN201710104059.9有效
发明人：李宏;刘立旺 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含纤锌矿孪晶结构的CuInS2纳米晶及其制备方法，所述CuInS2纳米晶为纤锌矿结构和黄铜矿结构的混合晶相，并且在纤锌矿CuInS2纳米晶中存在孪晶结构。其制备方法步骤为：1)制备Cu和S的前驱体溶液；2)制备含纤锌矿孪晶结构的CuInS2纳米晶。本发明采用热注入法以较简单的工艺制备出含纤锌矿孪晶结构的CuInS2纳米晶，所得含纤锌矿孪晶结构的CuInS2纳米晶是一种准零维材料，其相对于没有孪晶结构的量子点而言，吸收线蓝移，便于充分吸收太阳光中高能量部分
一种锌矿结构铜铟硫纳米及其制备方法

[发明专利]水溶性闪锌矿结构的CuInS₂和CuInS₂/ZnS核壳结构量子点及其制备方法-CN201110157812.3有效
发明人：常津;郭伟圣 -专利权人：天津大学
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种水溶性闪锌矿结构的CuInS2和CuInS2/ZnS核壳结构量子点及其制备方法。水溶性的闪锌矿结构CuInS2量子点中Cu∶In∶S的原子比为1.17∶1∶2.62；CuInS量子点的XRD图谱上存在三个主要结构特征峰，即28.61°，47.51°和55.81°，分别对应于闪锌矿晶体结构中的水溶性闪锌矿结构CuInS2/ZnS核壳量子点的荧光发射峰位的范围554～710nm，荧光量子产率为15～30％。本发明结合了目前比较成熟的制备油溶性量子点的胶体化学合成法，通过以PEG为溶剂，巯基十一烷酸作为配体和硫源制备了水溶性的CuInS2和CuInS2/ZnS量子点，为后期的生物医学应用省去了生物相容性改性的步骤；CuInS2/ZnS核壳量子点的荧光发射峰位的范围554～710nm，荧光量子产率为15～30％，能够满足生物医用诊断的要求；本发明合成周期短，工艺简单且重复性好，利于批量化生产。
水溶性闪锌矿结构 cuins sub zns 量子及其制备方法

[发明专利]一种CuInS2-CN202010386367.7在审
发明人：徐雪青;邓兵;徐刚;朱艳青 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了提出一种CuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点及其制备方法。本发明将铜源、铟源、烷基硫醇和非极性溶剂混合均匀得到阳离子前驱体溶液，采用烷基胺‑硫粉前驱体用作硫源，采用注入法在低温下制备CuInS2量子点；然后在CuInS2量子点溶液中加入Zn前驱体溶液，制备CuInS2/ZnS核壳结构量子点；经过三次包覆，得到CuInSCuInS2/ZnS/ZnS/ZnS核壳结构绿色荧光量子点，量子点荧光量子产率达到85％。
一种 cuins base sub

[发明专利]一种In₂S₃/CuInS₂薄层敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法-CN201410302030.8在审
发明人：徐雪青;安萍;梁柱荣;徐刚 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种In₂S₃/CuInS₂薄层敏化的宽带半导体光阳极，由导电基片、宽带半导体膜层和In₂S₃/CuInS₂薄层组成，在导电基片表面沉积有宽带半导体膜层以构成宽带半导体膜电极，在宽带半导体膜电极表面先后包覆In₂S₃与CuInS₂薄层，In₂S₃的厚度在1-5nm之间，CuInS₂的厚度在2-15nm之间。本发明的In₂S₃/CuInS₂薄层敏化光阳极结构不仅制备工艺简便，可通过控制溶液浓度及敏化次数控制晶粒大小，优化CuInS_{2扩散到TiO₂而带来的污染和其化学计量比的变化，对于提高CuInS₂半导体纳米晶敏化太阳电池光电转换效率具有积极意义。}
一种 in sub cuins 薄层宽带半导体阳极及其制备方法

[发明专利]一种CuInS₂/In₂S₃/ZnS双层核壳结构荧光量子点及其制备方法-CN201510249711.7有效
发明人：徐雪青;王欣;谢德辉;梁柱荣 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：针对目前CuInS₂量子点存在的不足，本发明提供一种CuInS₂/In₂S₃/ZnS双层核壳结构荧光量子点，以CuInS此外，本发明提供一种上述CuInS₂/In₂S₃/ZnS双层核壳结构荧光量子点的制备方法，采用双配位稳定剂合成CuInS₂
一种 cuins sub in zns 双层结构荧光量子及其制备方法

[发明专利]CuInS₂纳米线的一步合成制备方法-CN201210482523.5无效
发明人：邹超;李强;黄少铭 -专利权人：温州大学
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种CuInS2纳米线的一步合成制备方法，包括以下步骤：（1）将反应前驱体加入反应容器内；之后向反应容器内依次加入胺类、硫醇和表面配体；（2）将反应容器放入恒温油浴中，磁力搅拌反应，反应结束冷却至室温；取出原溶液，用正己烷稀释，超声振荡，在转速下离心分离，CuInS2结沉于容器底部，弃去上清液，得到CuInS2纳米线。本发明利用前驱体活性的差异，前驱体硫代氨基甲酸银在高温下首先分解形成的硫化银，作为催化剂，乙酰丙酮铜、硫代氨基甲酸铟高温分解形成的产物溶解在硫化银催化剂中，达到饱和后，从硫化银颗粒中析出CuInS2，形成CuInS2半导体纳米线。该方法在常压下即可实现对CuInS2半导体纳米线形状和结构控制，产率可达90％以上。
cuins sub 纳米一步合成制备方法

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